テクノロジ系誤り発見
仮想記憶（バーチャルメモリ）に関する以下の記述のうち、誤っているものはどれか。
A.ページング方式では、仮想アドレス空間と物理メモリを固定長のページ単位に分割して管理する。
✓ この記述は正しい。ページング方式は仮想・物理空間を固定長ページで分割し、ページテーブルを用いてアドレス変換を行います。
B.スラッシングとは、ページフォルトが頻発してページの入れ替えに多くの時間が費やされ、処理性能が著しく低下する現象である。
✓ この記述は正しい。スラッシングはページフォルトの連続によりOS全体のスループットが極端に低下する状態を指します。
C.TLB（Translation Lookaside Buffer）は、ページテーブルの一部をキャッシュしてアドレス変換を高速化するハードウェアである。
✓ この記述は正しい。TLBは高速なキャッシュメモリでアドレス変換の結果を保持し、ページテーブルへの毎回のアクセスを省略します。
D.セグメント方式では、プログラムを固定長の区画に分割して管理するため、内部フラグメンテーションが発生しやすい。← 正解
✓ 正解です。この記述が誤りで、正しくはセグメント方式は可変長の区画で分割するため外部フラグメンテーションが発生しやすく、内部フラグメンテーションはページング方式の特性です。